Текущие и перспективные микросхемы компании НПП «Цифровые решения»

Российская компания НПП "Цифровые решения" презентовала перспективные отечественные микросхемы. Компания НПП "Цифровые решения" обладает более чем 18-летним опытом разработки и производства микросхем, твердотельных накопителей и телекоммуникационного оборудования. Компания осуществляет полный цикл создания продукции: от разработки и испытаний до производства и дальнейшего технического сопровождения, что гарантирует качество и надежность поставляемых изделий. Ниже представлены текущие и перспективные разработки отечественной элементной базы.

Контроллеры NAND флеш -памяти памяти с интерфейсами SATA 6Gb/s и USB 3.0

Контроллеры NAND флеш -памяти памяти с интерфейсами SATA 6Gb/s и USB 3.0

Рисунок 1 - Контроллеры NAND флеш -памяти памяти с интерфейсами SATA 6Gb/s и USB 3.0

Интерфейс SATA 6Gb/s, совместимый с SATA 3Gb/s и SATA 1.5Gb/sUSB 3.0 (3.2 Gen 1) с поддержкой USB 2.0, 1.1
Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам370/370 Мбайт/с275/300 Мбайт/с
Ёмкостьдо 4 Тбайтдо 2 Тбайт
Количество циклов перезаписидо 100 000до 100 000
Производительность чтения/записи данных по случайным адресам45600/14500 IOPS

Разветвитель тактовой частоты радиационно-стойкий

Разветвитель тактовой частоты радиационно-стойкий

Рисунок 2 - Разветвитель тактовой частоты радиационно-стойкий

Применение - синхронизация ЦАП, АЦП и вычислительных узлов, а также резервирование и мультиплексирование тактовых сигналов и каналов передачи данных, преобразование синусоидальных и CMOS сигналов в LVDS назначение

Технические характеристики:

  1. Частоты тактового сигнала до 1 ГГц.
  2. Скорость потока данных до 1 Гбит/с.
  3. Джиттер в полосе 10 кГц - 20 МГц: 452 фс (входной сигнал 120 МГц, LVPECL.
  4. Разбежка между выходными каналами 20 пс.
  5. Поддержка сигналов LVDS, LVPECL, CMOS, синусоидальный.
  6. Предельная накопленная доза не менее 200 крад.
  7. Пороговая ЛПЭ возникновения тиристорного эффекта не менее 60 МэВ см2/мг.

Процессор "Спутник" радиационно-стойкий

Процессор "Спутник" радиационно-стойкий

Рисунок 3 - Процессор "Спутник" радиационно-стойкий

Применение - космическая аппаратура, построение командно-измерительных и телеметрических систем космических аппаратов.

Технические характеристики:

  1. 32-разрядная RISC архитектура ARM Cortex-MO.
  2. Максимальная тактовая частота 80 МГц.
  3. Набор аппаратных декодеров для приема телекоманд по стандарту CCSDS-231.0-B-2 (БЧХ (63,56), Витерби).
  4. Набор аппаратных кодеров для передачи телеметрии по стандарту CCSDS-131.0-B-2 (Рида-Соломона (255,223), (255,239), турбо кодер со скоростью кодирования 1/2,1/3,1/4,1/6, LDPC (8160,7136), сверточный код 1/2, 2/3, 3/4, 5/6 или 7/8).
  5. Размер кэш-памяти 16 Кбайт.
  6. Встроенная память данных 128 Кбайт с ЕСС (SEC-DED).
  7. Аппаратный блок поиска и исправления ошибок памяти (Scrubber).
  8. Контроллер прямого доступа к памяти (DMA).
  9. Контроллер внешней статической памяти с ЕСС (SEC-DED).
  10. Максимальный объем внешней памяти 64 Мбайт (поддержка до 4 chipselect).
  11. Сторожевой таймер watchdog, защищенный от сбоев
  12. Энергопотребление от 9,6 до 38,5 мВт/МГц, в зависимости от режима работы
  13. Технология изготовления кристаллов КМОП 180 нм, объемный кремний
  14. Тип корпуса 6112.145-1 (металлокерамический PGA, тип 6 по ГОСТ Р 54844-2011)
  15. Предельная накопленная доза не менее 100 крад
  16. Пороговая ЛПЭ возникновения тиристорного эффекта не менее 96 МэВ см2/мг

Демонстрационно-отладочная плата "Спутник"

Рисунок 4 - Демонстрационно-отладочная плата "Спутник"

Драйвер индуктивной нагрузки

Драйвер индуктивной нагрузки

Рисунок 5 - Драйвер индуктивной нагрузки

Применение - Различные типы ФАР на основе ферритовых фазовращателей, в том числе малогабаритные, а также управление работой ферритовых фазовращателей СВЧ диапазона.

Технические характеристики:

  1. 2 полумостовых драйвера с выходным током до 1 А.
  2. Независимая схема управления драйверами.
  3. Коммутируемое напряжение до 24 В.
  4. Возможность управления внешними ключами.
  5. Тактовая частота от 20 до 50 МГц.
  6. Интерфейс управления - последовательный LVDS.
  7. До 64 микросхем на одной шине.
  8. Индивидуальные и групповые команды управления.
  9. Встроенная схема защиты от перегрева, КЗ нагрузки и пропадания тактовой частоты.
  10. Возможность контроля работоспособности нагрузки.
  11. Корпус WLCSP/TSSOP28.

Цифровой модулятор высокоскоростной радиолинии радиационно-стойкий

Цифровой модулятор высокоскоростной радиолинии радиационно-стойкий

Рисунок 6 - Цифровой модулятор высокоскоростной радиолинии радиационно-стойкий

Применение - формирование цифрового сигнала квадратур на входах ЦАП для линий передачи данных со скоростями до 2000 Мбит/с.

Технические характеристики:

  1. Тактовая частота подключаемых ЦАП до 1200 МГц.
  2. Передача данных со скоростью до 2000 Мбит/с.
  3. Модулятор сигнальных конструкций ФМ4-ФМ8, АФМ16-АФМ64 с символьной скоростью до 400 МГц.
  4. Помехоустойчивый кодер каскадного соединения кодов БЧХ и LDPC с кодовыми скоростями от 1/4 до 9/10.
  5. Символьная частота до 400 МГц.
  6. Предельная накопленная доза не менее 200 крад.
  7. Пороговая ЛПЭ возникновения тиристорного эффекта не менее 60 МэВ см2/мг.

Cтруктурная схема

Рисунок 7 - Cтруктурная схема

Цифровой синтезатор сигналов (DDS) радиационно-стойкий

Цифровой синтезатор сигналов (DDS) радиационно-стойкий

Рисунок 8 - Цифровой синтезатор сигналов (DDS) радиационно-стойкий

Применение - построение синтезаторов сети частот с быстрой перестройкой, а также системы связи, испытательное оборудование, радиолокационные системы.

Технические характеристики:

  1. Цифровой синтез гармонических сигналов в диапазоне частот до 100 МГц.
  2. Опорная тактовая частота 50 МГц.
  3. SPI или параллельный интерфейс управления.
  4. Дифференциальный токовый выход от 8 до 12 мА.
  5. Динамический диапазон, свободный от паразитных составляющих (SFDR), не менее 55 дБ.
  6. Фазовый (частотный) аккумулятор 32 бит.
  7. Управление фазой 12 бит.
  8. Режим линейной частотной модуляции.
  9. Возможность прямого управления фазой.
  10. Напряжение питания 1,8 В/3,3 В.
  11. Предельная накопленная доза не менее 100 крад.
  12. Пороговая ЛПЭ возникновения тиристорного эффекта не менее 60 МэВ см2/мг.
  13. Технология изготовления кристалла 180 нм.
  14. Металлокерамический корпус Н14.42.

Кроме того в стадии разработки находятся следующая перспективная элементная база:

  1. Микросхема восьмиканального аналого-цифрового интерфейса.

    Применение - системы радиосвязи и модемы, в том числе спутниковые, измерительное и испытательное оборудование.

  2. Микросхема высокопроизводительной коммутационной фабрики.
    Цифровой синтезатор сигналов (DDS) радиационно-стойкий

    Рисунок 9 - Цифровой синтезатор сигналов (DDS) радиационно-стойкий

    Применение - IP/MPLS-маршрутизаторы (в том числе для сетей 5G), коммутаторы для ЦОД и коммутаторы агрегации, брокеры сетевых пакетов (специализированные коммутаторы для систем мониторинга, анализа и ИБ).

  3. Контроллер карт памяти microSD EXPRESS.
    Контроллер карт памяти microSD EXPRESS

    Рисунок 10 - Контроллер карт памяти microSD EXPRESS

Применение - Карты памяти microSD для устройств (смартфонов, планшетов, фото и видео техники), встроенные накопители информации для смартфонов и планшетов.

Дополнительную информацию смотрите на сайте производителя данных электронных компонентов НПП "Цифровые решения".